在掃描電鏡（SEM）中進(jìn)行晶體學(xué)分析和取向圖譜（Orientation Map）測(cè)量，通常需要使用電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)。EBSD可以提供晶體的取向、晶界和相分布等信息，是研究材料微觀結(jié)構(gòu)和晶體學(xué)性質(zhì)的重要工具。以下是使用掃描電鏡進(jìn)行晶體學(xué)分析和取向圖譜測(cè)量的詳細(xì)步驟和方法：

1. 電子背散射衍射（EBSD）原理

EBSD技術(shù)基于掃描電鏡的電子束與樣品表面的晶體格點(diǎn)發(fā)生相互作用，通過分析散射電子的衍射圖案，確定樣品的晶體學(xué)信息。這些信息包括：

晶體取向：即晶粒的方向。

晶粒邊界：不同晶粒之間的界限。

晶界類型：包括低角度晶界、高角度晶界和特殊晶界。

晶體相位：不同晶體相的分布。

2. EBSD系統(tǒng)的組成

EBSD分析通常需要以下組件：

掃描電鏡（SEM）：提供高分辨率的表面成像和電子束掃描。

EBSD探測(cè)器：放置在SEM樣品室內(nèi)，負(fù)責(zé)捕捉衍射圖案并將其傳輸?shù)接?jì)算機(jī)。

衍射圖案分析軟件：如Oxford Instruments的AZtec、Bruker的eFlash等，負(fù)責(zé)處理和分析衍射數(shù)據(jù)，生成取向圖譜、相圖、晶界圖等。

3. EBSD分析步驟

樣品準(zhǔn)備

樣品表面需要光滑，以確保衍射圖案的質(zhì)量。

樣品應(yīng)進(jìn)行精細(xì)拋光，避免表面粗糙或氧化層的影響。

對(duì)于硬度較高的材料（如金屬和陶瓷），可能需要采用更加精細(xì)的拋光步驟。

SEM設(shè)置

加速電壓：通常選擇15 kV至30 kV的加速電壓，較低的電壓（10-20 kV）有助于提高EBSD的衍射圖案清晰度。

束流強(qiáng)度：較低的束流強(qiáng)度有助于獲得清晰的衍射圖案，并防止樣品過熱。

樣品傾斜角度：樣品通常傾斜約70°，使電子束與樣品表面以較小的角度相交，從而增強(qiáng)背散射電子信號(hào)。

數(shù)據(jù)采集

在SEM中掃描樣品表面，并通過EBSD探測(cè)器收集來自樣品表面不同區(qū)域的電子衍射圖案。

數(shù)據(jù)采集過程中，衍射圖案會(huì)根據(jù)不同的晶體取向產(chǎn)生不同的衍射花樣。EBSD系統(tǒng)會(huì)通過對(duì)這些圖案的分析，獲得每個(gè)掃描點(diǎn)的晶體學(xué)信息。

圖案分析

衍射圖案識(shí)別：EBSD系統(tǒng)利用相應(yīng)的軟件分析衍射圖案，通過與已知晶體結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)庫匹配，確定晶體的取向、相位、晶界類型等信息。

數(shù)據(jù)處理：分析軟件會(huì)處理采集到的衍射數(shù)據(jù)，并計(jì)算每個(gè)像素的晶體取向、晶粒大小和晶界特性。

4. 取向圖譜（Orientation Map）的生成

通過EBSD分析后，生成取向圖譜（Orientation Map），這是表征樣品晶體取向的可視化圖。圖譜通常使用不同顏色表示不同的晶體取向。每個(gè)區(qū)域的顏色代表該區(qū)域的晶體取向或晶粒的晶格方向。

取向圖譜生成步驟：

掃描區(qū)域選擇：選擇感興趣的區(qū)域進(jìn)行掃描，通常需要在高分辨率下進(jìn)行掃描。

顏色編碼：通過將每個(gè)像素的晶體學(xué)數(shù)據(jù)（如Euler角）轉(zhuǎn)換為不同的顏色，生成取向圖譜。不同的顏色代表不同的晶體取向。

分辨率設(shè)置：掃描步距決定了取向圖譜的分辨率。較小的掃描步距（例如幾十納米）可以提供更高分辨率的取向圖。

常見的取向圖譜

晶體取向圖（Euler Map）：每個(gè)點(diǎn)的顏色表示晶粒的晶體取向。

相圖（Phase Map）：顯示樣品中不同晶體相的分布，常用于多相材料。

晶粒度圖（Grain Size Map）：表示不同晶粒大小的分布。

晶界圖（Grain Boundary Map）：顯示晶粒邊界的分布，分為低角度晶界和高角度晶界。

5. 晶體學(xué)分析的應(yīng)用

EBSD和取向圖譜技術(shù)的結(jié)合，可以為材料的微觀結(jié)構(gòu)分析提供豐富的信息。常見的應(yīng)用包括：

晶粒取向分析：研究晶體的宏觀取向、織構(gòu)和異質(zhì)性。

晶界分析：分析晶粒之間的邊界類型，如高角度晶界、低角度晶界和晶界強(qiáng)化效應(yīng)。

相分布分析：對(duì)于多相材料，EBSD可以分析不同相的分布，幫助識(shí)別和定量不同的晶體相。

材料的機(jī)械性能預(yù)測(cè)：晶體取向和晶界結(jié)構(gòu)與材料的力學(xué)性能（如強(qiáng)度、塑性等）密切相關(guān)。

6. 結(jié)合其他技術(shù)

EBSD常常與其他SEM技術(shù)如能譜分析（EDX）、二次電子成像（SEI）等結(jié)合使用，以獲得更為全的材料表征數(shù)據(jù)。結(jié)合EDX可以提供元素成分分析，進(jìn)一步輔助晶體學(xué)分析。

以上就是澤攸科技小編分享的掃描電鏡如何進(jìn)行晶體學(xué)分析和取向圖譜測(cè)量。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價(jià)格請(qǐng)咨詢15756003283(微信同號(hào))。