PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測(cè)量系統(tǒng)
PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測(cè)量系統(tǒng),在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境,實(shí)現(xiàn)1 Bar & 800 ℃的端觀測(cè)條件。價(jià)格請(qǐng)咨詢18817557412(微信同號(hào))
PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測(cè)量系統(tǒng),在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境,實(shí)現(xiàn)1 Bar & 800 ℃的端觀測(cè)條件。該系統(tǒng)使研究者可以在原子尺度上實(shí)時(shí)觀測(cè)催化反應(yīng)、氧化還原反應(yīng)、低維材料生長(zhǎng)/合成以及各類腐蝕反應(yīng),將您的透射電鏡從一臺(tái)靜態(tài)成像工具升級(jí)為一套功能強(qiáng)大的納米實(shí)驗(yàn)室。
系統(tǒng)組成:
① 原位氣氛環(huán)境樣品桿:由樣品桿主體、氣流通道、四電極加熱模塊和MEMS反應(yīng)微腔組成。樣品被安置于上下兩片MEMS芯片以及配套的O圈組成的密封微腔內(nèi)。
② 真空檢漏系統(tǒng):由進(jìn)口分子泵組、高真空腔體和高倍顯微鏡組成。用于實(shí)驗(yàn)前驗(yàn)證MEMS反應(yīng)微腔密封情況,確保在TEM中抽真空后不會(huì)有氣體泄漏。
③ MEMS反應(yīng)微腔:由上下兩片MEMS芯片組成,用于搭載實(shí)驗(yàn)樣品。樣品觀測(cè)區(qū)域覆蓋有高質(zhì)量、高透過(guò)率的氮化硅薄膜窗口,窗口上覆蓋有四電極加熱區(qū)域,樣品搭載在加熱電極上。該MEMS反應(yīng)微腔與外接氣路通道以及加熱模塊高度耦合,從而在TEM中實(shí)現(xiàn)氣氛環(huán)境與高溫環(huán)境準(zhǔn)確可控的原位觀測(cè)。
④ 氣氛環(huán)境控制箱:由三通道混氣模塊、渦輪真空泵、氣壓控制模塊、氣流控制模塊及配套附件組成。用于在實(shí)驗(yàn)中準(zhǔn)確、穩(wěn)定地控制MEMS反應(yīng)微腔中的氣氛環(huán)境,控制微反應(yīng)腔中的氣壓及氣體流速。
⑤ 高性能PC及配套控制軟件:該系統(tǒng)中的加熱及氣氛環(huán)境均為軟件控制,多種工作模式可選,功能強(qiáng)大,方便易用。
⑥ 溫控儀:用于控制MEMS反應(yīng)微腔中的溫度,四個(gè)電極通道,帶溫度反饋。
⑦ 樣品桿載具、裝樣附件及其他工具。
性能指標(biāo)
透射電鏡指標(biāo):
● 兼容指定型號(hào)電鏡及極靴;
● 通氣后透射電子顯微鏡分辨率優(yōu)于0.1 nm。
加熱指標(biāo):
● 溫度范圍:室溫至800 ℃;
● 溫度準(zhǔn)確度:優(yōu)于5% ;
● 溫度穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1 ℃;
● 四電極加熱,帶溫度反饋;
● 軟件控制。
氣體流動(dòng)指標(biāo):
● 三通道混氣
● 氣壓范圍:0 - 1 Bar;
● 氣壓準(zhǔn)確度:30 mBar;
● 氣體流速: 0.01 - 0.4 ml/min;
● 可通氣體:H2, N2, O2, He, Ar, CO, CO2, CxHy等;
● 軟件控制。
MEMS反應(yīng)微腔指標(biāo):
● 高質(zhì)量氮化硅膜厚度25 nm;
● 樣品漂移優(yōu)于0.7 nm/min。
部分國(guó)內(nèi)用戶
部分國(guó)外用戶
以上就是澤攸科技對(duì)PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測(cè)量系統(tǒng)的介紹,關(guān)于整套系統(tǒng)價(jià)格請(qǐng)咨詢15756003283(微信同號(hào))